智能新技术 能源新未来 士兰微参加PSIC2021为新能源汽车赋能

2021年6月25日，士兰微电子参加了在嘉善举行的“第四届中国国际新能源汽车功率半导体市场与关键技术论坛（PSiC2021）”，与来自整车、电驱动、功率半导体等产业链上下游400余名工程师一起探讨新能源车用功率器件的未来。

士兰可提供多样化的汽车级IGBT模块及分立式器件，搭载士兰自主研发最新五代IGBT和阳极发射效率控制FRD技术芯片，为混合动力汽车及电动汽车设计提供支持。

 其中B系列模块拓展了混合动力汽车和电动汽车的IGBT模块的功率区间。该系列产品提供基于多种封装的不同版本，从而实现了电压及功率等级拓展性的最大化，涵盖了270 A至1200 A以及650 V至1200 V规格范围。

士兰 B1系列模块是一款符合汽车标准的模块，满足车规级认证，适用于30-60kW的电动汽车。该模块以150℃工作结温设计，配备士兰微Trench-Field-Stop IGBT4芯片和匹配的士兰FRD芯片。

基于士兰在IGBT功率模块开发的长期经验，对新材料和封装技术的研究成果，高质量的自动化产线管控，B1模块具备超低的导通损耗以及优异的短路能力;可以使用风冷或者水冷进行散热;使用铜基板、高性能Al2O3陶瓷基板同引线键合工艺的高度结合，为混动汽车和纯电汽车的逆变器提供出色的热循环和温度循环能力，保证了系统的最高可靠性。

产品特点：

1. 采用士兰Trench-Field-Stop IGBT4芯片
2. 多芯片并联，低损耗IGBT
3. 使用低热阻三氧化二铝陶瓷基板
4. 集成NTC温度传感器
5. 低VCE(sat)同时具备正温度系数
6. 绝缘级别：DC 4200Vrms/sec

士兰 B3系列模块是一款符合汽车标准的模块，满足车规级认证，适用于80-220KW的电动汽车应用。该模块以150℃工作结温设计，配备士兰微Trench-Field-Stop IGBT5芯片和匹配的士兰FRD芯片。

该系列模块是士兰微电子基于自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术开发的六单元拓扑模块;该模块适用于混动和纯电动汽车等应用领域，具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级，为严苛环境条件下的逆变器运行，提供更可靠的保障。

产品特点：

1. 基于精细沟槽的FS-V技术，阻断电压达750V
2. 多芯片并联，低损耗IGBT
3. 根据不同功率等级搭配不同基板与DBC方案
4. 每相内置NTC热敏电阻
5. 低VCE(sat)同时具备正温度系数
6. 绝缘级别：DC 4200Vrms/sec

士兰微电子实现交通领域零排放为己任，将业务成功与社会责任结合在一起，致力于让人们的生活更加便利、安全和环保。