士兰微电子再获国家科学技术进步奖

2023年度国家科学技术奖于2024年6月24日正式揭晓，杭州士兰微电子股份有限公司的“功率MOS与高压集成芯片关键技术及应用”项目荣获国家科技进步二等奖。

这是士兰微电子第二次荣获“国家科学技术进步奖”，也是第三次在国家科学技术奖励大会上接受表彰。2020年1月10日，2019年度国家科学技术奖励大会上，士兰微电子的“高效模数转换器和模拟前端芯片关键技术及应用”项目获得国家技术发明奖二等奖；2017年1月9日，2016 年度国家科学技术奖励大会上，士兰微电子的“用于集成系统和功率管理的多层次系统芯片低功耗设计技术”项目荣获国家科学技术进步奖二等奖。

杭州士兰微电子股份有限公司成立于1997年，总部在中国杭州。2003年公司股票（600460）在上海证券交易所挂牌交易，成为第一家在中国境内上市的集成电路芯片设计企业。 得益于中国电子信息产业的飞速发展，士兰微电子建立了完整的IDM模式，打通了“芯片设计、芯片制造、芯片封装”全产业链，芯片产线实现了“从5吋到12吋”的跨越，并从硅基产线拓展到化合物产线，是国内主要的集成电路设计与制造一体的IDM企业之一。

经过持续的积累，士兰微电子在智能功率模块（IPM）、车规级主驱功率模块、碳化硅芯片、高端模拟电路、MEMS惯性传感器、车规级LED大灯照明等多个领域构建了核心竞争力，产品广泛应用于汽车、新能源、安防、工业、白电、笔电、手机、通讯、电力电子等行业。同时利用公司在多个芯片设计领域的积累，为客户提供针对性的芯片产品系列和系统性的应用解决方案。