士兰微电子参加TMC2023 共同探讨汽车动力系统前沿技术

7月13日，第十五届汽车动力系统技术年会在青岛召开，本次会议共吸引了来自国内外 500多家机构近 2000位专业代表参加，对汽车碳中和技术路径研究、主要应用场景的动力系统技术发展趋势等方面进行分享和探讨。

士兰微汽车电子产品线高级市场经理伍志刚在会议现场做了《车规级功率半导体特色封装与先进工艺》主题演讲，分享了士兰微车规级产品的布局，介绍了士兰的IGBT产品、SiC产品，以及在产品制造工艺、封装技术等方面的优势和经验。

01  士兰车规模块

IGBT模块

SGM820PB8B3TFM

使用场合：适用于混动和纯电动汽车等应用领域；

电气特征：士兰微电子基于自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术开发的六单元拓扑模块；

封装特性：采用导热性优良的DBC技术。

IGBT模块

SSGM1R7PB12B3DTFM

使用场合：适用于混动和纯电动汽车主驱等应用领域；

电气特征：采用士兰微最新一代SiC低Rdson的1200V芯片技术；

封装特性：采用高导热AMB绝缘陶瓷基板技术，银烧结工艺。

IGBT模块

SGM600HF12B4TFD 

使用场合：应用于大功率变流器、电机传动、太阳能逆变器、UPS系统等；

电气特征：采用士兰第四代IGBT工艺平台技术，具备低饱和压降，高抗短路能力；

封装特性：采用绝缘DBC技术。

02  士兰汽车电子分立器件

    士兰应用于汽车电子的分立器件包含40-100V各电压平台LVMOS、650V高压超结MOS、1200V SiC MOS及各频率段分立IGBT，可大面积覆盖汽车各系统应用，包括车身域控、电机控制、车载充电及热泵管理等应用，拥有良好的电气特性及可靠性。

LVMOS

SVGQ041R3NL5V-2HS

使用场合：汽车助力转向系统、电子泵系统、风扇应用及底盘安全等；

电气特征：采用士兰LVMOS工艺40V电压平台制造，具有低导通电阻及优越的开关特性；

封装特性：采用士兰Wettable PDFN5*6封装，可增强光学检测。

LVMOS

SVGQ041R2NLS-2HF

使用场合：汽车助力转向系统、电子泵系统、风扇应用及低压电器盒应用等；

电气特征：采用士兰LVMOS工艺40V电压平台制造，具有优越的开关特性及高雪崩击穿耐量；

封装特性：采用士兰Wettable sTOLL封装，可增强光学检测。

IGBT分立器件

SGTP50V65UFCR3P7

使用场合：汽车车载充电机OBC、DC/DC应用、充电桩及光伏应用等；

电气特征：采用士兰第五代场截止工艺制成，具较低的导通损耗和开关损耗；

封装特性：采用TO-247-3L封装。

03  现场掠影

    士兰微电子利用自身在高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、绿色电源芯片技术等多个芯片设计领域的积累，以及不断强化的工艺平台开发能力，不断提升的8吋/12吋硅圆片生产能力、先进化合物半导体生产能力，为汽车客户提供优质的芯片产品系列和系统性的应用解决方案，助力产业的蓬勃发展。